Более десятилетия оптимизации роста в химическом паропередаче (CVT), а также роста потока приводят к нашим безупречным кристаллам MoSe2. Наши кристаллы MoSe2 p-типа допированы атомами Nb в диапазоне 1E17-5E18cm-3. Эти электронно допированные кристаллы vdW MoSe2 рассматриваются как золотые стандарты в области 2D материалов. Кристаллы MoSe2 от 2Dssemiconductors известны своей превосходной волейтронной производительностью, идеальной кристаллизацией, свободной от дефектов структурой, крайне узкими пропускными способностями PL, чистыми PL-спектрами (без связанных экситонных плеч) и высокой мобильностью носителя. Тысячи научных статей цитировали нас и использовали эти кристаллы для научной точности и чистых сигналов. Пожалуйста, также посмотрите наши кристаллы MoSe2 n- и p-типа, допированные Au, Re, Nb или другими атомами переходных металлов.

Пожалуйста, обратите внимание, что допинг в TMDC значительно сокращает время кристаллизации (скорость роста), поэтому электронно допированные TMDC измеряют меньше, чем недопущенные (внутренние) TMDC.

Характеристики однокристаллического p-допированного MoSe2