Серия 378 - Особенности микроскопа FS - 70 для обнаружения полупроводников
Эта оптическая система была первоначально разработана для продаваемой модели FS60 (позднее переименованной в FS70).Он идеально подходит в качестве микроскопа для измерения и обнаружения полупроводниковых устройств.
2.FS70L поддерживает три типа лазерных волн YAG (1064 нм, 532 нм, 355 нм), а FS70L4 поддерживает две длины волн (532 нм, 266 нм) с использованием лазерной резки и тонкопленочных технологий в полупроводниковых и жидкокристаллических пластинах. Это расширяет сферу применения лазера. Тем не менее, Sanfeng не несет ответственности за производительность и безопасность лазерного захвата микроскопа с помощью измерительных приборов Sanfeng. Мы рекомендуем тщательно проверять при выборе лазерных излучателей.
Стандартные функции 3.FS70Z включают: яркое поле зрения, дифференциальное интерферометрическое сравнение (DIC) и поляризационные наблюдения. FS70L и FS70L4 не поддерживают DIC. Использование встроенных преобразователей упрощает работу объективов с большим рабочим расстоянием.
5. Очень простая в эксплуатации конструкция: FS70 использует позитивную оптическую систему (изображение в поле зрения находится в том же направлении, что и образец), а тонко настроенный маховик увеличен резиновой ручкой.

Серия 378 - Параметры производительности микроскопа FS - 70 для обнаружения полупроводников

Серия 378 - Технические параметры микроскопа FS - 70 для обнаружения полупроводников
Фокус
Метод: с концентрическими грубо - настраиваемыми маховиками (слева и справа)
Диапазон: 50 мм диапазон измерений, тонкая настройка 0,1 мм / rev концентрическая грубость 3,8 мм / rev
Трехглазое зеркальное изображение: положительное изображение
Зрачки: тип Siedentopf
Диапазон регулировки: 51 - 76 мм
Количество полей зрения: 24
Угол наклона: 0° - 20° (только для моделей - TH, THS)
Система освещения: отраженное освещение освещенного поля зрения (освещение Колера, с диафрагмой)
Источник света: 12V100W оптическое волокно, регулирование неполярной яркости), длина оптической проводимости 1.5m, энергопотребление 150W
Объекты (опция): M Plan Apo, M Plan Apo SL, G Plan Apo